GAKUSEE
半導体の製造工程
> 09 不純物拡散・イオン注入
01
01 回路・パターン設計
02
02 フォトマスク作成
03
03 インゴット作成
04
04 インゴット切断
05
05 ウェーハ研磨
06
06 洗浄・乾燥
07
07 成膜
08
08 リソグラフィ
09
10
10 平坦化
11
11 ウェーハ検査
12
12 ダイシング
13
13 ダイボンディング
14
14 ワイヤーボンディング
15
15 モールド
16
16 トリム&フォーム
17
17 バーンイン
18
18 マーキング
不純物拡散・イオン注入
半導体を作るには、ウェーハに不純物(ドーパント)を加え、電気的な性質を変える必要があります。不純物拡散やイオン注入は、この不純物を正確な場所に、決まった量だけ導入する技術です。これにより、電流の流れを制御する電子回路が作られます。
← 08 リソグラフィ
10 平坦化 →
協賛 募集中